记者从北京石墨烯研究院获悉，近期中国科学院院士、北京大学/北京石墨烯研究院院长刘忠范、中科院半导体所研究员刘志强、北京大学物理学院研究员高鹏等合作，提出了一种纳米柱辅助的范德华外延要领，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD），国际上首次在玻璃衬底上乐成“异构外延”出连续平整的准单晶氮化镓（GaN）薄膜，并制备蓝光发光二极管（LED）。相关结果7月31日发表于《科学》子刊《科学·进展》。

半导体工业是科技自立自强的底层保障。在全球信息化、5G时代以及新冠肺炎疫情的影响下，以III族氮化物为代表的先进半导体迎来生长的岑岭期。一直以来，我国氮化物核心质料、器件的原始创新能力较为单薄，核心专利技术不足。同时，由于缺乏同质衬底，氮化物质料一直通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在蓝宝石、硅、碳化硅等单晶衬底上进行异质外延。单晶衬底的尺寸、成本、晶格失配、热失配、导热导电性等限制了氮化物质料的生长。因此，挣脱传统衬底限制是氮化物质料制备的瓶颈问题，也是通过自主创新引领先进半导体工业生长的的要害。

研究人员巧妙地利用石墨烯解决了该问题。他们在生长初期，利用石墨烯的晶格来引导氮化物的晶格排列，在非晶玻璃上也实现了高质量氮化物的外延。通常，玻璃上生长的氮化物上是完全杂乱无序的多晶结构。石墨烯的晶格引导作用使得玻璃上的氮化物的面外取向完全一致，面内取向也由通常的随机取向被限制成三种，从而得到了高质量的准单晶薄膜。他们进一步生长了蓝光LED结构，其内量子效率高达48.7%。此外，他们充实利用界面处弱的范德华作用力，将生长的外延结构机械剥离并制备了柔性的LED样品。据悉，面向大规模工业应用，北京石墨烯研究院在玻璃衬底上接纳化学气相沉积，生长了一系列石墨烯晶圆制备要领，为氮化物厘革性制备技术的探索提供坚实基础。

刘忠范体现，这一结果是典型的“从0到1”式的原创性突破，为石墨烯等二维质料的工业化应用提供了新思路，有望生长为氮化物厘革性制备技术，解决先进半导体生长技术瓶颈，在新型显示、柔性电子学等领域具有重要应用前景。同时，该技术通过“异构外延”减弱了氮化物对单晶衬底的依赖，对于扩泰半导体外延衬底选择范围、富厚半导体异质外延看法、实现面向后摩尔时代的片上物质组装和异构集成，具有重要意义。